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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - tableaux > SP8M8FU6TB
SP8M8FU6TB
SP8M8FU6TB
Modèle de produit:
SP8M8FU6TB
Fabricant:
LAPIS Semiconductor
La description:
MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOIC
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
68633 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
SP8M8FU6TB.pdf
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introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Package composant fournisseur:8-SOP
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:30 mOhm @ 6A, 10V
Puissance - Max:2W
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:520pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:10.1nC @ 5V
type de FET:N and P-Channel
Fonction FET:Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:Mosfet Array N and P-Channel 30V 6A, 4.5A 2W Surface Mount 8-SOP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:6A, 4.5A
Numéro de pièce de base:*M8
Email:[email protected]

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