| État | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributeur | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | +20V, -16V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | PowerPAK® 1212-8S |
| Séries: | TrenchFET® Gen IV |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1.98 mOhm @ 10A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 5W (Ta), 65.7W (Tc) |
| Emballage: | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte: | PowerPAK® 1212-8S |
| Autres noms: | SISS12DN-T1-GE3CT |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 4270pF @ 20V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 89nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 40V |
| Description détaillée: | N-Channel 40V 37.5A (Ta), 60A (Tc) 5W (Ta), 65.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 37.5A (Ta), 60A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
