SIB408DK-T1-GE3
SIB408DK-T1-GE3
Modèle de produit:
SIB408DK-T1-GE3
Fabricant:
Electro-Films (EFI) / Vishay
La description:
MOSFET N-CH 30V 7A PPAK SC75-6L
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
81283 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
SIB408DK-T1-GE3.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:PowerPAK® SC-75-6L Single
Séries:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:40 mOhm @ 6A, 10V
Dissipation de puissance (max):2.4W (Ta), 13W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:PowerPAK® SC-75-6L
Autres noms:SIB408DK-T1-GE3-ND
SIB408DK-T1-GE3TR
SIB408DKT1GE3
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:350pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:9.5nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:N-Channel 30V 7A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Single
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:7A (Tc)
Email:[email protected]

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