SIA477EDJ-T1-GE3
SIA477EDJ-T1-GE3
Modèle de produit:
SIA477EDJ-T1-GE3
Fabricant:
Electro-Films (EFI) / Vishay
La description:
MOSFET P-CH 12V 12A SC-70-6L
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
47452 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
SIA477EDJ-T1-GE3.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:PowerPAK® SC-70-6 Single
Séries:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:14 mOhm @ 7A, 4.5V
Dissipation de puissance (max):-
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:PowerPAK® SC-70-6
Autres noms:SIA477EDJ-T1-GE3-ND
SIA477EDJ-T1-GE3TR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:2970pF @ 6V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:87nC @ 8V
type de FET:P-Channel
Fonction FET:-
Tension drain-source (Vdss):12V
Description détaillée:P-Channel 12V 12A (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

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