SI8261ABC-C-IPR
Modèle de produit:
SI8261ABC-C-IPR
Fabricant:
Energy Micro (Silicon Labs)
La description:
DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
53464 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
SI8261ABC-C-IPR.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Alimentation:9.4 V ~ 30 V
Tension - Isolement:3750Vrms
Tension - Forward (Vf) (Typ):2.8V (Max)
La technologie:Capacitive Coupling
Package composant fournisseur:8-DIP Gull Wing
Séries:Automotive, AEC-Q100
Rise / Fall Time (Typ):5.5ns, 8.5ns
Distorsion de largeur d'impulsion (Max):28ns
Délai de propagation tpLH / tpHL (Max):60ns, 50ns
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-SMD, Gull Wing
Autres noms:336-5205-2
SI8261ABC-C-IPR-ND
Température de fonctionnement:-40°C ~ 125°C
Nombre de canaux:1
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Délai de livraison standard du fabricant:6 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée:600mA Gate Driver Capacitive Coupling 3750Vrms 1 Channel 8-DIP Gull Wing
Courant - Sortie crête:600mA
Courant - Sortie Haut, Bas:400mA, 600mA
Courant - DC Forward (If) (Max):30mA
Immunité transitoire au mode commun (min.):35kV/µs
Agréments:CQC, CSA, UR, VDE
Email:[email protected]

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