SI7190ADP-T1-RE3
SI7190ADP-T1-RE3
Modèle de produit:
SI7190ADP-T1-RE3
Fabricant:
Electro-Films (EFI) / Vishay
La description:
MOSFET N-CHAN 250V POWERPAK SO-8
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
32685 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
SI7190ADP-T1-RE3.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:PowerPAK® SO-8
Séries:ThunderFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:102 mOhm @ 4.3A, 10V
Dissipation de puissance (max):5W (Ta), 56.8W (Tc)
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:PowerPAK® SO-8
Autres noms:SI7190ADP-T1-RE3CT
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:860pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:22.4nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):7.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):250V
Description détaillée:N-Channel 250V 4.3A (Ta), 14.4A (Tc) 5W (Ta), 56.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:4.3A (Ta), 14.4A (Tc)
Email:[email protected]

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