SI4936BDY-T1-GE3
Modèle de produit:
SI4936BDY-T1-GE3
Fabricant:
Electro-Films (EFI) / Vishay
La description:
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
79893 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
SI4936BDY-T1-GE3.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Package composant fournisseur:8-SO
Séries:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:35 mOhm @ 5.9A, 10V
Puissance - Max:2.8W
Emballage:Original-Reel®
Package / Boîte:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms:SI4936BDY-T1-GE3DKR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:33 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:530pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 10V
type de FET:2 N-Channel (Dual)
Fonction FET:Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.9A 2.8W Surface Mount 8-SO
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:6.9A
Numéro de pièce de base:SI4936
Email:[email protected]

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