| État | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributeur | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.1V @ 250µA |
| Package composant fournisseur: | 6-TSOP |
| Séries: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 60 mOhm @ 3.4A, 4.5V |
| Puissance - Max: | 830mW |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Autres noms: | SI3586DV-T1-E3TR SI3586DVT1E3 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 6nC @ 4.5V |
| type de FET: | N and P-Channel |
| Fonction FET: | Logic Level Gate |
| Tension drain-source (Vdss): | 20V |
| Description détaillée: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.9A, 2.1A 830mW Surface Mount 6-TSOP |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 2.9A, 2.1A |
| Numéro de pièce de base: | SI3586 |
| Email: | [email protected] |
