| État | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributeur | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | 6-TSOP |
| Séries: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 35 mOhm @ 6.2A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 1.14W (Ta) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Autres noms: | SI3483DV-T1-E3TR SI3483DVT1E3 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 35nC @ 10V |
| type de FET: | P-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 30V |
| Description détaillée: | P-Channel 30V 4.7A (Ta) 1.14W (Ta) Surface Mount 6-TSOP |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 4.7A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
