SI3127DV-T1-GE3
SI3127DV-T1-GE3
Modèle de produit:
SI3127DV-T1-GE3
Fabricant:
Electro-Films (EFI) / Vishay
La description:
MOSFET P-CHAN 60V TSOP6S
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
66207 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
SI3127DV-T1-GE3.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:6-TSOP
Séries:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:89 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Dissipation de puissance (max):2W (Ta), 4.2W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Autres noms:SI3127DV-T1-GE3TR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:33 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:833pF @ 20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:30nC @ 10V
type de FET:P-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):60V
Description détaillée:P-Channel 60V 3.5A (Ta), 13A (Tc) 2W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:3.5A (Ta), 13A (Tc)
Email:[email protected]

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