SI2318CDS-T1-GE3
Modèle de produit:
SI2318CDS-T1-GE3
Fabricant:
Electro-Films (EFI) / Vishay
La description:
MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT-23
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
70889 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
SI2318CDS-T1-GE3.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:SOT-23-3 (TO-236)
Séries:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:42 mOhm @ 4.3A, 10V
Dissipation de puissance (max):1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms:SI2318CDS-T1-GE3CT
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:27 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:340pF @ 20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:9nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):40V
Description détaillée:N-Channel 40V 5.6A (Tc) 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:5.6A (Tc)
Email:[email protected]

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