SI1539CDL-T1-GE3
Modèle de produit:
SI1539CDL-T1-GE3
Fabricant:
Electro-Films (EFI) / Vishay
La description:
MOSFET N/P-CH 30V SOT363
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
60062 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
SI1539CDL-T1-GE3.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Package composant fournisseur:SOT-363
Séries:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:388 mOhm @ 600mA, 10V
Puissance - Max:340mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Autres noms:SI1539CDL-T1-GE3-ND
SI1539CDL-T1-GE3TR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:28pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:1.5nC @ 10V
type de FET:N and P-Channel
Fonction FET:Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:Mosfet Array N and P-Channel 30V 700mA, 500mA 340mW Surface Mount SOT-363
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:700mA, 500mA
Email:[email protected]

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