SI1079X-T1-GE3
Modèle de produit:
SI1079X-T1-GE3
Fabricant:
Electro-Films (EFI) / Vishay
La description:
MOSFET P-CH 30V 1.44A SC89-6
Quantité:
62106 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
SI1079X-T1-GE3.pdf

introduction

SI1079X-T1-GE3 meilleur prix et livraison rapide.
BOSER Technology est le distributeur pour SI1079X-T1-GE3, nous avons les stocks pour une expédition immédiate et aussi pour une fourniture à long terme. S'il vous plaît envoyez-nous votre plan d'achat pour SI1079X-T1-GE3 par courriel, nous vous donnerons le meilleur prix en fonction de votre plan.
Notre email: [email protected]

Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Vgs (Max):±12V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:SC-89-6
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:100 mOhm @ 1.4A, 4.5V
Dissipation de puissance (max):330mW (Ta)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:SOT-563, SOT-666
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:750pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:26nC @ 10V
type de FET:P-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):2.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:P-Channel 30V 1.44A (Ta) 330mW (Ta) Surface Mount SC-89-6
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:1.44A (Ta)
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes