SGS23N60UFDTU
SGS23N60UFDTU
Modèle de produit:
SGS23N60UFDTU
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
IGBT 600V 23A 73W TO220F
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
70411 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
SGS23N60UFDTU.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:2.6V @ 15V, 12A
Condition de test:300V, 12A, 23 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:17ns/60ns
énergie de commutation:115µJ (on), 135µJ (off)
Package composant fournisseur:TO-220F
Séries:-
Temps de recouvrement inverse (trr):60ns
Puissance - Max:73W
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-220-3 Full Pack
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:-
gate charge:49nC
Description détaillée:IGBT 600V 23A 73W Through Hole TO-220F
Courant - Collecteur pulsée (Icm):92A
Courant - Collecteur (Ic) (max):23A
Numéro de pièce de base:SG*23N60
Email:[email protected]

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