SGR2N60UFDTF
Modèle de produit:
SGR2N60UFDTF
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
IGBT 600V 2.4A 25W DPAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
64539 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
1.SGR2N60UFDTF.pdf2.SGR2N60UFDTF.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:2.6V @ 15V, 1.2A
Condition de test:300V, 1.2A, 200 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:15ns/80ns
énergie de commutation:30µJ (on), 13µJ (off)
Package composant fournisseur:D-Pak
Séries:-
Puissance - Max:25W
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:-
gate charge:9nC
Description détaillée:IGBT 600V 2.4A 25W Surface Mount D-Pak
Courant - Collecteur pulsée (Icm):10A
Courant - Collecteur (Ic) (max):2.4A
Email:[email protected]

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