SGL60N90DG3TU
SGL60N90DG3TU
Modèle de produit:
SGL60N90DG3TU
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
IGBT 900V 60A 180W TO264
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
71833 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
SGL60N90DG3TU.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):900V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:2.7V @ 15V, 60A
Condition de test:-
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:-
énergie de commutation:-
Package composant fournisseur:TO-264
Séries:-
Temps de recouvrement inverse (trr):1.5µs
Puissance - Max:180W
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-264-3, TO-264AA
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:Trench
gate charge:260nC
Description détaillée:IGBT Trench 900V 60A 180W Through Hole TO-264
Courant - Collecteur pulsée (Icm):120A
Courant - Collecteur (Ic) (max):60A
Email:[email protected]

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