| État | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributeur | Boser Technology |
| Tension - Inverse de crête (max): | Standard |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 1.2A |
| Tension - Ventilation: | - |
| Séries: | - |
| État RoHS: | Bulk |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Résistance @ Si, F: | - |
| Polarisation: | Module |
| Température d'utilisation - Jonction: | 2.5µs |
| Type de montage: | Chassis, Stud Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 18 Weeks |
| Référence fabricant: | S2HVM10 |
| Description élargie: | Diode Standard 10000V (10kV) 1.2A Chassis, Stud Mount |
| Configuration diode: | 1mA @ 10000V |
| La description: | DIODE GEN PURP 10KV 1.2A MODULE |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 11.1V @ 2A |
| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode): | 10000V (10kV) |
| Capacité à Vr, F: | -55°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
