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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > S29GL512S10FHI020
S29GL512S10FHI020
S29GL512S10FHI020
Modèle de produit:
S29GL512S10FHI020
Fabricant:
Cypress Semiconductor
La description:
IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
84421 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
S29GL512S10FHI020.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Écrire le temps de cycle - Word, Page:60ns
Tension - Alimentation:2.7 V ~ 3.6 V
La technologie:FLASH - NOR
Package composant fournisseur:64-Fortified BGA (13x11)
Séries:GL-S
Emballage:Tray
Package / Boîte:64-LBGA
Température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Type de mémoire:Non-Volatile
Taille mémoire:512Mb (32M x 16)
Interface mémoire:Parallel
Format de mémoire:FLASH
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée:FLASH - NOR Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 100ns 64-Fortified BGA (13x11)
Temps d'accès:100ns
Email:[email protected]

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