RN4984,LF(CT
RN4984,LF(CT
Modèle de produit:
RN4984,LF(CT
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
La description:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
65070 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
RN4984,LF(CT.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur:US6
Séries:-
Résistance - Base de l'émetteur (R2):47 kOhms
Résistance - Base (R1):47 kOhms
Puissance - Max:200mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Autres noms:RN4984,LF(CB
RN4984LF(CT
RN4984LF(CT-ND
RN4984LF(CTTR
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:12 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:250MHz, 200MHz
Description détaillée:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 200mW Surface Mount US6
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:80 @ 10mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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