| État | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributeur | Boser Technology |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Transistor Type: | NPN - Pre-Biased |
| Package composant fournisseur: | S-Mini |
| Séries: | - |
| Résistance - Base (R1): | 22 kOhms |
| Puissance - Max: | 200mW |
| Emballage: | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Autres noms: | RN1412TE85LFCT |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition: | 250MHz |
| Description détaillée: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount S-Mini |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 120 @ 1mA, 5V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
