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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > RMLV0408EGSB-4S2#AA0
RMLV0408EGSB-4S2#AA0
RMLV0408EGSB-4S2#AA0
Modèle de produit:
RMLV0408EGSB-4S2#AA0
Fabricant:
Renesas Electronics America
La description:
IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
76975 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
RMLV0408EGSB-4S2#AA0.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Écrire le temps de cycle - Word, Page:45ns
Tension - Alimentation:2.7 V ~ 3.6 V
La technologie:SRAM
Package composant fournisseur:32-TSOP II
Séries:-
Emballage:Tray
Package / Boîte:32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
Température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Type de mémoire:Volatile
Taille mémoire:4Mb (512K x 8)
Interface mémoire:Parallel
Format de mémoire:SRAM
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée:SRAM Memory IC 4Mb (512K x 8) Parallel 45ns 32-TSOP II
Numéro de pièce de base:RMLV0408
Temps d'accès:45ns
Email:[email protected]

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