RJK5012DPE-00#J3
RJK5012DPE-00#J3
Modèle de produit:
RJK5012DPE-00#J3
Fabricant:
Renesas Electronics America
La description:
MOSFET N-CH 500V 12A LDPAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
56871 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
RJK5012DPE-00#J3.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:-
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:4-LDPAK
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:620 mOhm @ 6A, 10V
Dissipation de puissance (max):100W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:SC-83
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1100pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:29nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):500V
Description détaillée:N-Channel 500V 12A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount 4-LDPAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:12A (Ta)
Email:[email protected]

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