RJK03M4DPA-00#J5A
Modèle de produit:
RJK03M4DPA-00#J5A
Fabricant:
Renesas Electronics America
La description:
MOSFET N-CH 30V 35A WPAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
56725 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
RJK03M4DPA-00#J5A.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:-
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:8-WPAK
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:4.6 mOhm @ 17.5A, 10V
Dissipation de puissance (max):30W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-WFDFN Exposed Pad
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:2170pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:12nC @ 4.5V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:N-Channel 30V 35A (Ta) 30W (Tc) Surface Mount 8-WPAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:35A (Ta)
Email:[email protected]

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