RGF1J
RGF1J
Modèle de produit:
RGF1J
Fabricant:
Fairchild/ON Semiconductor
La description:
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
50932 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
1.RGF1J.pdf2.RGF1J.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Inverse de crête (max):Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si:1A
Tension - Ventilation:DO-214AC (SMA)
Séries:-
État RoHS:Tape & Reel (TR)
Temps de recouvrement inverse (trr):Fast Recovery = 200mA (Io)
Résistance @ Si, F:8.5pF @ 4V, 1MHz
Polarisation:DO-214AC, SMA
Autres noms:RGF1J-ND
RGF1JFSTR
Température d'utilisation - Jonction:250ns
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:6 Weeks
Référence fabricant:RGF1J
Description élargie:Diode Standard 600V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
Configuration diode:5µA @ 600V
La description:DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Courant - fuite, inverse à Vr:1.3V @ 1A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode):600V
Capacité à Vr, F:-65°C ~ 175°C
Email:[email protected]

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