QS8J11TCR
QS8J11TCR
Modèle de produit:
QS8J11TCR
Fabricant:
LAPIS Semiconductor
La description:
MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSMT8
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
52331 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
QS8J11TCR.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 1mA
Package composant fournisseur:TSMT8
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:43 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Puissance - Max:550mW
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:8-SMD, Flat Lead
Autres noms:QS8J11TCRCT
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:2600pF @ 6V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:22nC @ 4.5V
type de FET:2 P-Channel (Dual)
Fonction FET:Logic Level Gate, 1.5V Drive
Tension drain-source (Vdss):12V
Description détaillée:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 3.5A 550mW Surface Mount TSMT8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:3.5A
Email:[email protected]

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