QH8MA2TCR
QH8MA2TCR
Modèle de produit:
QH8MA2TCR
Fabricant:
LAPIS Semiconductor
La description:
MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
92960 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
1.QH8MA2TCR.pdf2.QH8MA2TCR.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Package composant fournisseur:TSMT8
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:35 mOhm @ 4.5A, 10V
Puissance - Max:1.25W
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:8-SMD, Flat Lead
Autres noms:QH8MA2TCRCT
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:365pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:8.4nC @ 10V
type de FET:N and P-Channel
Fonction FET:Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:Mosfet Array N and P-Channel 30V 4.5A, 3A 1.25W Surface Mount TSMT8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:4.5A, 3A
Email:[email protected]

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