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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - tableaux, pré bia > PUMH2/DG/B3,115
PUMH2/DG/B3,115
Modèle de produit:
PUMH2/DG/B3,115
Fabricant:
Nexperia
La description:
TRANS RET SC-88
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
49614 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
PUMH2/DG/B3,115.pdf
Enquête

introduction

PUMH2/DG/B3,115 meilleur prix et livraison rapide.
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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:150mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur:SOT-363
Séries:-
Résistance - Base de l'émetteur (R2):47 kOhms
Résistance - Base (R1):47 kOhms
Puissance - Max:300mW
Package / Boîte:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Autres noms:934066964115
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:230MHz
Description détaillée:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230MHz 300mW Surface Mount SOT-363
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:80 @ 5mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):1µA
Courant - Collecteur (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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image Modèle de produit Fabricant La description Vue
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