PTAB182002TCV2R250XTMA1
Modèle de produit:
PTAB182002TCV2R250XTMA1
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
62597 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
PTAB182002TCV2R250XTMA1.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Test:28V
Tension - Nominale:65V
Transistor Type:LDMOS
Package composant fournisseur:H-49248H-4
Séries:-
Alimentation - sortie:29W
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:H-49248H-4
Autres noms:SP001483354
Noise Figure:-
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Gain:14.8dB
La fréquence:1.805GHz ~ 1.88GHz
Description détaillée:RF Mosfet LDMOS 28V 520mA 1.805GHz ~ 1.88GHz 14.8dB 29W H-49248H-4
Note actuelle:10µA
Courant - Test:520mA
Email:[email protected]

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