PSMN1R8-30PL,127
PSMN1R8-30PL,127
Modèle de produit:
PSMN1R8-30PL,127
Fabricant:
Nexperia
La description:
MOSFET N-CH 30V TO220AB
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
64180 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
PSMN1R8-30PL,127.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:2.15V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-220AB
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.8 mOhm @ 25A, 10V
Dissipation de puissance (max):270W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-220-3
Autres noms:1727-4388
568-5234
568-5234-5
568-5234-5-ND
568-5234-ND
934064002127
PSMN1R830PL127
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:10180pF @ 12V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:170nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:N-Channel 30V 100A (Tc) 270W (Tc) Through Hole TO-220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

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