PMV20XN,215
PMV20XN,215
Modèle de produit:
PMV20XN,215
Fabricant:
NXP Semiconductors / Freescale
La description:
MOSFET N-CH 30V 4.8A SOT23
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
60243 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
PMV20XN,215.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Vgs (Max):±12V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-236AB (SOT23)
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:25 mOhm @ 4.8A, 4.5V
Dissipation de puissance (max):510mW (Ta)
Emballage:Original-Reel®
Package / Boîte:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms:568-7534-6
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:585pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:10nC @ 4.5V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):2.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:N-Channel 30V 4.8A (Ta) 510mW (Ta) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:4.8A (Ta)
Email:[email protected]

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