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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > PMV160UP,215
PMV160UP,215
PMV160UP,215
Modèle de produit:
PMV160UP,215
Fabricant:
Nexperia
La description:
MOSFET P-CH 20V 1.2A TO-236AB
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
73325 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
PMV160UP,215.pdf
Enquête

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:950mV @ 250µA
Vgs (Max):±8V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-236AB (SOT23)
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:210 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Dissipation de puissance (max):335mW (Ta), 2.17W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms:1727-1152-2
568-10320-2
568-10320-2-ND
934064761215
PMV160UP,215-ND
PMV160UP215
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:365pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:4nC @ 4.5V
type de FET:P-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):1.8V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss):20V
Description détaillée:P-Channel 20V 1.2A (Ta) 335mW (Ta), 2.17W (Tc) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:1.2A (Ta)
Email:[email protected]

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