PMDPB95XNE,115
PMDPB95XNE,115
Modèle de produit:
PMDPB95XNE,115
Fabricant:
NXP Semiconductors / Freescale
La description:
MOSFET 2N-CH 30V 2.4A HUSON6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
68705 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
PMDPB95XNE,115.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Package composant fournisseur:DFN2020-6
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:120 mOhm @ 2A, 4.5V
Puissance - Max:475mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:6-UDFN Exposed Pad
Autres noms:568-10764-2
934067055115
PMDPB95XNE,115-ND
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:143pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:2.5nC @ 4.5V
type de FET:2 N-Channel (Dual)
Fonction FET:Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.4A 475mW Surface Mount DFN2020-6
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:2.4A
Email:[email protected]

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