PHN210,118
Modèle de produit:
PHN210,118
Fabricant:
NXP Semiconductors / Freescale
La description:
MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
72290 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
PHN210,118.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:2.8V @ 1mA
Package composant fournisseur:8-SO
Séries:TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:100 mOhm @ 2.2A, 10V
Puissance - Max:2W
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms:934033430118
PHN210 /T3
PHN210 /T3-ND
Température de fonctionnement:-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:250pF @ 20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:6nC @ 10V
type de FET:2 N-Channel (Dual)
Fonction FET:Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2W Surface Mount 8-SO
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:-
Email:[email protected]

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