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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - tableaux, pré bia > PEMH15,115
PEMH15,115
PEMH15,115
Modèle de produit:
PEMH15,115
Fabricant:
Nexperia
La description:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
54172 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
PEMH15,115.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:150mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur:SOT-666
Séries:-
Résistance - Base de l'émetteur (R2):4.7 kOhms
Résistance - Base (R1):4.7 kOhms
Puissance - Max:300mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:SOT-563, SOT-666
Autres noms:1727-2172-2
568-11970-2-ND
568-12334-2-ND
934058928115
PEMH15 T/R
PEMH15 T/R-ND
PEMH15,115-ND
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:13 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:-
Description détaillée:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:30 @ 10mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):1µA
Courant - Collecteur (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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