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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > PDTD113ZK,115
PDTD113ZK,115
Modèle de produit:
PDTD113ZK,115
Fabricant:
NXP Semiconductors / Freescale
La description:
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
76842 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
PDTD113ZK,115.pdf
Enquête

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type:NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur:SMT3; MPAK
Séries:-
Résistance - Base de l'émetteur (R2):10 kOhms
Résistance - Base (R1):1 kOhms
Puissance - Max:250mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms:934058969115
PDTD113ZK T/R
PDTD113ZK T/R-ND
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:70 @ 50mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max):500mA
Numéro de pièce de base:PDTD113
Email:[email protected]

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