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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > PDTC123ETVL
PDTC123ETVL
PDTC123ETVL
Modèle de produit:
PDTC123ETVL
Fabricant:
Nexperia
La description:
PDTC123ET/SOT23/TO-236AB
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
54453 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
PDTC123ETVL.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:150mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type:NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur:TO-236AB
Séries:-
Résistance - Base de l'émetteur (R2):2.2 kOhms
Résistance - Base (R1):2.2 kOhms
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms:934054697235
Type de montage:Surface Mount
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 100mA Surface Mount TO-236AB
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:30 @ 10mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):1µA
Courant - Collecteur (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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