| État | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributeur | Boser Technology |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 100mV @ 2.5mA, 50mA |
| Transistor Type: | PNP - Pre-Biased |
| Package composant fournisseur: | DFN1010D-3 |
| Séries: | Automotive, AEC-Q101 |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2): | 10 kOhms |
| Résistance - Base (R1): | 2.2 kOhms |
| Puissance - Max: | 325mW |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 3-XDFN Exposed Pad |
| Autres noms: | 934069273147 |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 8 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition: | 150MHz |
| Description détaillée: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 150MHz 325mW Surface Mount DFN1010D-3 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 70 @ 50mA, 5V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 500nA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 500mA |
| Email: | [email protected] |
