| État | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributeur | Boser Technology |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 30V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 280mV @ 50mA, 1A |
| Transistor Type: | 2 PNP (Dual) |
| Package composant fournisseur: | 6-HUSON-EP (2x2) |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 510mW |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 6-UDFN Exposed Pad |
| Autres noms: | 1727-1078-2 568-10206-2 568-10206-2-ND 934066881115 PBSS5130PAP |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 16 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition: | 125MHz |
| Description détaillée: | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 30V 1A 125MHz 510mW Surface Mount 6-HUSON-EP (2x2) |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 170 @ 500mA, 2V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 1A |
| Numéro de pièce de base: | PBSS5130 |
| Email: | [email protected] |
