PBLS2002D,115
PBLS2002D,115
Modèle de produit:
PBLS2002D,115
Fabricant:
Nexperia
La description:
TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
62307 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
PBLS2002D,115.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V, 20V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:150mV @ 500µA, 10mA / 280mV @ 100mA, 1A
Transistor Type:1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Package composant fournisseur:6-TSOP
Séries:-
Résistance - Base de l'émetteur (R2):4.7 kOhms
Résistance - Base (R1):4.7 kOhms
Puissance - Max:600mW
Emballage:Original-Reel®
Package / Boîte:SC-74, SOT-457
Autres noms:1727-5691-6
568-7228-6
568-7228-6-ND
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:185MHz
Description détaillée:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 20V 100mA, 1A 185MHz 600mW Surface Mount 6-TSOP
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:30 @ 10mA, 5V / 220 @ 500mA, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):1µA, 100nA
Courant - Collecteur (Ic) (max):100mA, 1A
Numéro de pièce de base:PBLS2002
Email:[email protected]

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