NTTFS6H850NTAG
NTTFS6H850NTAG
Modèle de produit:
NTTFS6H850NTAG
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
TRENCH 8 80V NFET
Quantité:
60862 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
NTTFS6H850NTAG.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 70µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:8-WDFN (3.3x3.3)
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:9.5 mOhm @ 10A, 10V
Dissipation de puissance (max):3.2W (Ta), 107W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-PowerWDFN
Autres noms:NTTFS6H850NTAG-ND
NTTFS6H850NTAGOSTR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:40 Weeks
Statut sans plomb:Lead free
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1140pF @ 40V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:19nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):6V, 10V
Tension drain-source (Vdss):80V
Description détaillée:N-Channel 80V 11A (Ta), 68A (Tc) 3.2W (Ta), 107W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:11A (Ta), 68A (Tc)
Email:[email protected]

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