NTTFS5820NLTAG
NTTFS5820NLTAG
Modèle de produit:
NTTFS5820NLTAG
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 60V 37A 8DFN
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
75326 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
NTTFS5820NLTAG.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:2.3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:8-WDFN (3.3x3.3)
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:11.5 mOhm @ 8.7A, 10V
Dissipation de puissance (max):2.7W (Ta), 33W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-PowerWDFN
Autres noms:NTTFS5820NLTAG-ND
NTTFS5820NLTAGOSTR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:40 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1462pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:28nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):60V
Description détaillée:N-Channel 60V 11A (Ta), 37A (Tc) 2.7W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:11A (Ta), 37A (Tc)
Email:[email protected]

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