NTTFS4821NTAG
NTTFS4821NTAG
Modèle de produit:
NTTFS4821NTAG
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 30V 7.5A 8WDFN
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
72620 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
NTTFS4821NTAG.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:8-WDFN (3.3x3.3)
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:7 mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (max):660mW (Ta), 38.5W (Tc)
Emballage:Original-Reel®
Package / Boîte:8-PowerWDFN
Autres noms:NTTFS4821NTAGOSDKR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:40 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1755pF @ 12V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:24nC @ 11.5V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 11.5V
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:N-Channel 30V 7.5A (Ta), 57A (Tc) 660mW (Ta), 38.5W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:7.5A (Ta), 57A (Tc)
Email:[email protected]

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