NTMFS4839NHT1G
NTMFS4839NHT1G
Modèle de produit:
NTMFS4839NHT1G
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
85385 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
NTMFS4839NHT1G.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:5.5 mOhm @ 30A, 10V
Dissipation de puissance (max):870mW (Ta), 42.4W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-PowerTDFN, 5 Leads
Autres noms:NTMFS4839NHT1G-ND
NTMFS4839NHT1GOSTR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:2354pF @ 12V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:43.5nC @ 11.5V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 11.5V
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:N-Channel 30V 9.5A (Ta), 64A (Tc) 870mW (Ta), 42.4W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:9.5A (Ta), 64A (Tc)
Email:[email protected]

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