NTLJF4156NT1G
NTLJF4156NT1G
Modèle de produit:
NTLJF4156NT1G
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-WDFN
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
69076 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
NTLJF4156NT1G.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:6-WDFN (2x2)
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:70 mOhm @ 2A, 4.5V
Dissipation de puissance (max):710mW (Ta)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:6-WDFN Exposed Pad
Autres noms:NTLJF4156NT1G-ND
NTLJF4156NT1GOSTR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:7 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:427pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:6.5nC @ 4.5V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:Schottky Diode (Isolated)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):1.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:N-Channel 30V 2.5A (Tj) 710mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:2.5A (Tj)
Email:[email protected]

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