NTJS3157NT4
NTJS3157NT4
Modèle de produit:
NTJS3157NT4
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité:
92829 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
NTJS3157NT4.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:400mV @ 250µA
Vgs (Max):±8V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:SC-88/SC70-6/SOT-363
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:60 mOhm @ 4A, 4.5V
Dissipation de puissance (max):1W (Ta)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:500pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 4.5V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):1.8V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss):20V
Description détaillée:N-Channel 20V 3.2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:3.2A (Ta)
Email:[email protected]

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