NSVF6003SB6T1G
NSVF6003SB6T1G
Modèle de produit:
NSVF6003SB6T1G
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
RF TRANSISTOR
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
73309 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
NSVF6003SB6T1G.pdf

introduction

NSVF6003SB6T1G meilleur prix et livraison rapide.
BOSER Technology est le distributeur pour NSVF6003SB6T1G, nous avons les stocks pour une expédition immédiate et aussi pour une fourniture à long terme. S'il vous plaît envoyez-nous votre plan d'achat pour NSVF6003SB6T1G par courriel, nous vous donnerons le meilleur prix en fonction de votre plan.
Notre email: [email protected]

Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):12V
Transistor Type:NPN
Package composant fournisseur:6-CPH
Séries:Automotive, AEC-Q101
Puissance - Max:800mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Autres noms:NSVF6003SB6T1GOSTR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Noise Figure (dB Typ @ f):3dB @ 1GHz
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:4 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Gain:9dB
Fréquence - Transition:7GHz
Description détaillée:RF Transistor NPN 12V 150mA 7GHz 800mW Surface Mount 6-CPH
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:100 @ 50mA, 5V
Courant - Collecteur (Ic) (max):150mA
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes