| État | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributeur | Boser Technology |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 40V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 170mV @ 200mA, 2A |
| Transistor Type: | 2 PNP (Dual) |
| Package composant fournisseur: | 8-SOIC |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 653mW |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Autres noms: | NSS40300MDR2G-ND NSS40300MDR2GOSTR |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 2 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition: | 100MHz |
| Description détaillée: | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 40V 3A 100MHz 653mW Surface Mount 8-SOIC |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 180 @ 1A, 2V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 3A |
| Email: | [email protected] |
