NSBA114YDP6T5G
NSBA114YDP6T5G
Modèle de produit:
NSBA114YDP6T5G
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
31179 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
NSBA114YDP6T5G.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur:SOT-963
Séries:-
Résistance - Base de l'émetteur (R2):47 kOhms
Résistance - Base (R1):10 kOhms
Puissance - Max:408mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:SOT-963
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:7 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:-
Description détaillée:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 408mW Surface Mount SOT-963
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:80 @ 5mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max):100mA
Numéro de pièce de base:NSBA1*
Email:[email protected]

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