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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - tableaux, pré bia > NP0G3D100A
NP0G3D100A
NP0G3D100A
Modèle de produit:
NP0G3D100A
Fabricant:
Panasonic
La description:
TRANS PREBIAS NPN/PNP SSSMINI6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
62370 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
NP0G3D100A.pdf
Enquête

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur:SSSMini6-F1
Séries:-
Résistance - Base de l'émetteur (R2):4.7 kOhms, 47 kOhms
Résistance - Base (R1):4.7 kOhms, 47 kOhms
Puissance - Max:125mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:SOT-963
Autres noms:NP0G3D100ATR
NPOG3D100A
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:150MHz, 80MHz
Description détaillée:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 80mA 150MHz, 80MHz 125mW Surface Mount SSSMini6-F1
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:20 @ 5mA, 10V / 80 @ 5mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max):80mA
Numéro de pièce de base:NP0G3D1
Email:[email protected]

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