NJVMJD127T4G
NJVMJD127T4G
Modèle de produit:
NJVMJD127T4G
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
IC TRANS PNP 8A 100V DPAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
49172 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
NJVMJD127T4G.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:4V @ 80mA, 8A
Transistor Type:PNP - Darlington
Package composant fournisseur:DPAK
Séries:-
Puissance - Max:20W
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms:NJVMJD127T4G-ND
NJVMJD127T4GOSTR
Température de fonctionnement:-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:20 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:-
Description détaillée:Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 8A 20W Surface Mount DPAK
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:1000 @ 4A, 4V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):10µA
Courant - Collecteur (Ic) (max):8A
Email:[email protected]

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